砷化镓(GaAs)是继硅之后被研究最深入、应用最广泛的半导体材料，被广泛应用于光电子和微电子领域。砷化镓单晶圆片切割可采用内圆切割和线切割2种切割方式。在砷化镓圆片生产中，线切割技术由于具有生产效率高、晶片质量好、表面损伤层低等显著优势，正在逐步取代传统的内圆切割技术。损伤层深度和翘曲度(Warp)是衡量砷化镓线切割切片质量好坏的2个重要指标。由于机械加工，引发晶片表面附近原子有序排列位置的扰乱，即晶格常数发生了微小改变。此改变在晶片表面最大，随着深入到晶片内部而逐渐减小，在晶片的一定深度上此改变消失。从晶片表面到此深度的晶体薄层称为损伤层。当×射线照射在此原子扰乱层而发生衍射时，在布拉格衍射角位置上将会引起衍射线的变宽。根据衍射线的宽化情况，即能测定出晶片损伤层的深度。
线切割是由导轮带动细线高速运转，由线带动砂浆形成研磨的切割方式。在切割过程中，切削液夹裹着碳化硅磨料喷落在线上，依赖线的高速运动，把砂浆运送到切割区，对紧压在线上的晶体进行“研磨式”切割，随着线和碳化硅磨料对晶体的一次次反复研磨，逐渐在线的下方形成切口，最终将晶体切成晶片。线的高速运动促使悬浮液携带着带有棱角的碳化硅颗粒以不断滚动的方式进入切割区，从而产生很强切削能力，而且由于线上加有一定的张力，使碳化硅磨料一般只沿线运动的方向逐渐对晶体进行研磨。碳化硅磨料颗粒很细，对细线侧方向影响很小，所以在晶片表面看不到明显的切割痕迹。
砷化镓线切割晶片的损伤层深度决定了后道研磨工序的去除量。在恒定切割速度条件下，随着张力的增加，损伤层厚度略有减小。砷化镓线切割晶片的翘曲度在后道加工中很难去除，切割速度不变时，随着张力的增加，翘曲度明显减小，但断线几率会增大。实际加工过程中应选择合适的张力。