现在应用于晶体材料的主流切割技术一游离磨料线切割起始于20世纪90年代,事实上,游离磨料线切割对硅片的切割过程是一个三体磨料磨损过程,在机理上来说属于研磨加工范畴:磨粒悬浮于磨削液中,在高速运动的切割线带动下进入加工区域,在切割线的压力和磨削液的剪切力作用下通过滚动一嵌入(rolling and identation)件表面来实现材料的去除。在此过程中,切割线只起到带动磨粒的作用,并不参与加工。材料的去除率与切割液参数、走丝速度、工件进给速度等因素有关,而这些因素又影响切割线的振动和张紧力、切割液的流体动压效应等,并进一步影响到加工表面的残余应力、表面粗糙度及硅片的翘曲变形等。和内圆切割相比,线切割技术具有切割效率高、材料损耗小、硅片质量高、方便后续加工等优点,在大规模硅片生产中已逐渐取代内圆切割技术,而由于其发展历史短,对线切割过程中材料的去除机理和工艺规律的研究还不全面。
瑞士光伏和薄膜电子实验室(EPEL)通过采用不同的磨粒进行游离磨料线切割实验,结果表明磨粒粒径小的加工出的表面比磨粒粒径大的要光滑,微裂纹深度要比磨粒粒径大的浅,表面粗糙度要比磨粒粒径大的好,微裂纹深度呈指数分布。最细磨料切割出的表面微裂纹深度不是最小的,但其微裂纹密度是最小的,但最大磨粒切割出的表面微裂纹深度和表面粗糙度都是最大的。表面粗糙度Ra随磨粒的增大而增大。细磨粒切割出的硅片明显断裂强度由于粗磨粒。浆料浓度要选择合适,过高或过低都会使硅片的表面质量下降。