一般而言，ICCD的成像需要完成由电到光和由光到电的两次光谱变换过程，两个过程都不可避免地引入噪声。同时，在由电到光转换的过程中，像增强器的荧光屏发光特性、光纤阵列的不连续性及耦合误差都有可能引入额外噪声，从而造成图像分辨率的下降。自20世纪80年代起，在军事发达国家的主导下，EBCCD作为一种新型的真空微光成像器件，在微光成像领域得到逐步应用。相较于普通的ICCD，EBCCD只采用由电到光一次光谱变换，并直接利用光电阴极的光生电荷成像，因此不需要再经过微通道板、荧光屏和光学耦合器，从而减少了噪声的来源。EBCCD的结构类似于第一代像增强器，区别仅在于用背照明CCD替换了原来的荧光屏。工作时，入射光不再通过正面的多晶硅电极，而是从背面的硅衬底层进入CCD进行光电转换和电荷积累，从而减少了前照明CCD引起的能量损失与充电效应，其量子效率可达90％。EBCCD将像管的荧光屏用对电子灵敏的背照明、减薄CCD代替，将电子图像直接转变为视频信号，因此在所有光照等级下，尤其在极低微光下，它的调制传递函数(MTF)、分辨力、信噪比、余辉等均优于ICCD，因此EBCCD在光子计数成像器件中仍有广泛的应用。（梦溪）
从EBCCD的工作原理可以得出，背照明CCD是EBCCD系统的技术核心。20世纪80年代，背照明CCD的工艺发展迅速，目前CCD表面光敏钝化和背面减薄是研制EBCCD的关键技术之一。
尽管如此，由于EBCCD自身特性，其也存在如下缺点：
第一，EBCCD寿命较短，BCCD在10-20kev的电子轰击下会产生辐射损伤，使得暗电流和漏电流增大，导致转移效率下降，因此限制了其发展。
第二，制造工艺复杂，要将BCCD封装在管内之后制作光阴极，装架难度较大。
第三，封装到管中的BCCD要与光阴极制造工艺兼容，而且排气温度不能太高，因此限制了光阴极的灵敏度。
目前，包括荷兰飞利浦、梦溪、日本滨松等在内的公司已经能够生产EBCCD的成熟产品，典型技术参数为：增益大于1200，像素数为512x512；美国Scientific Imaging Technologies (SITe)公司己研制成功型号SITe SI502A，512×512像素数的CCD，用于构成BCCD和近贴聚焦型EBCCD。目前国内外更多的研究工作致力于提供增益更高，孔径更大的EBCCD，从而进一步提高EBCCD的成像性能。